中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司张礼鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利外延生长基座及具有其的外延生长设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223033507U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422120460.X，技术领域涉及：C30B25/12；该实用新型外延生长基座及具有其的外延生长设备是由张礼鑫;李青海;权爱春;张峻纲;滕杨;王雪伶;谢鑫磊;王敏设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延生长基座及具有其的外延生长设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种外延生长基座及具有其的外延生长设备，涉及半导体技术领域，外延生长基座包括：承载部和边缘部。边缘部形成为环形结构且环绕承载部的外周侧设置，且与承载部在承载部的一侧限定出容纳槽，容纳槽用于放置衬底，边缘部的外周壁上形成有多个沿边缘部的周向间隔设置的凹槽，在边缘部的轴向上，凹槽与边缘部的两端端面分别间隔设置。本申请的外延生长基座，能够提高衬底在外延层的平坦度水平。
本实用新型外延生长基座及具有其的外延生长设备在权利要求书中公布了：1.一种外延生长基座，其特征在于，包括： 承载部； 边缘部，所述边缘部形成为环形结构且环绕所述承载部的外周侧设置，且与所述承载部在所述承载部的一侧限定出容纳槽，所述容纳槽用于放置衬底，所述边缘部的外周壁上形成有多个沿所述边缘部的周向间隔设置的凹槽，在所述边缘部的轴向上，所述凹槽与所述边缘部的两端端面分别间隔设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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