成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司刘湘获国家专利权
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龙图腾网获悉成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司申请的专利一种耐压可调的SGT MOSFET终端获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040479U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422113309.3，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种耐压可调的SGT MOSFET终端是由刘湘;张鹏;杨珏林;宋文龙;张春生;陈城;许志峰设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐压可调的SGT MOSFET终端在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种耐压可调的SGTMOSFET终端，包括两端的源极金属和漏极金属；从漏极金属至源极金属之间依次设有第一导电类型衬底、第一外延层、第二外延层、第二导电类型体区、第一导电类型源区和第二导电类型重掺杂接触区、第四介质层；第二外延层内设有沟槽栅结构，左侧终端沟槽内相邻的沟槽栅结构间距固定，右侧元胞沟槽内沟槽栅结构与终端沟槽内最近的沟槽栅结构间距可变。本实用新型在不增加成本的前提下，通过调整沟槽之间的间距，可以调整终端的耐压，当终端沟槽内相邻的沟槽栅结构间距不变时，调整元胞沟槽内沟槽栅结构与终端沟槽内最近的沟槽栅结构的间距，可以影响沟槽的电场分布，进而影响到击穿电压，实现终端耐压可调。
本实用新型一种耐压可调的SGT MOSFET终端在权利要求书中公布了：1.耐压可调的SGTMOSFET终端，其特征在于：包括 两端的源极金属（14）和漏极金属（15）； 从所述漏极金属（15）至所述源极金属（14）之间依次设有第一导电类型衬底（1）、第一外延层（2）、第二外延层（3）、第二导电类型体区（10）、第一导电类型源区（11）和第二导电类型重掺杂接触区（13）、第四介质层（12）； 所述第二外延层（3）内设有沟槽栅结构，左侧终端沟槽内相邻的沟槽栅结构间距固定，右侧元胞沟槽内沟槽栅结构与终端沟槽内最近的沟槽栅结构间距可变。
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