台湾积体电路制造股份有限公司高魁佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040482U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422115957.2，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置结构是由高魁佑;林士尧;邱志忠;廖展勤;林骏宇;林敏巧;张詠琪;郭力榕设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括设置于基板上方的源极漏极区域、设置于基板上方的栅极电极层、设置在栅极电极层和源极漏极区域之间的第一栅极间隔物，以及设置在栅极电极层和源极漏极区域之间的介电质间隔物。介电质间隔物的第一部分接触第一栅极间隔物的第一部分。半导体装置结构进一步包括设置在第一栅极间隔物的第二部分和介电质间隔物的第二部分之间的牺牲层。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一基板上方的一源极漏极区域，其中该源极漏极区域包括一第一部分和该第一部分上方的一第二部分； 该基板上方的一栅极电极层，其中该栅极电极层包括一第一部分和该第一部分上方的一第二部分； 一第一栅极间隔物，设置在该栅极电极层与该源极漏极区域之间，其中该第一栅极间隔物包括一第一部分和该第一部分上方的一第二部分； 一介电质间隔物，设置在该栅极电极层与该源极漏极区域之间，其中该介电质间隔物包括一第一部分和该第一部分上方的一第二部分，且该介电质间隔物的该第二部分接触该第一栅极间隔物的该第二部分；以及 一牺牲层，设置在该第一栅极间隔物的该第一部分与该介电质间隔物的该第一部分之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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