通威太阳能(成都)有限公司杨磊获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利一种太阳电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040509U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422107542.0，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种太阳电池是由杨磊;余斌;王公鑫设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳电池在说明书摘要公布了：本实用新型涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池，太阳电池具有栅线区、非栅线区；太阳电池包括：硅基底；背光面具有第一背光区域和第二背光区域，第一背光区域与栅线区的位置对应，第二背光区域与非栅线区的位置对应；图形化的钝化接触结构，钝化接触结构包括介质层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层具有背离介质层一侧的第一表面，钝化接触结构的图形化区域与栅线区位置对应；第一功能层，第一功能层设于第二背光区域对应的硅基底和掺杂多晶硅层的表面；第一电极，第一电极穿过第一功能层与掺杂多晶硅层欧姆接触；第一表面的平整度高于第二背光区域的平整度。太阳电池能减少第一钝化层爆膜的问题，降低掺杂多晶硅层与第一电极的接触电阻。
本实用新型一种太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池具有对应于第一电极所在位置的栅线区、以及处于所述栅线区之外的非栅线区；所述太阳电池包括： 硅基底，所述硅基底包括相背设置的受光面和背光面；其中，所述背光面具有第一背光区域和第二背光区域，所述第一背光区域与所述栅线区的位置对应，所述第二背光区域与所述非栅线区的位置对应； 图形化的钝化接触结构，所述钝化接触结构包括靠近所述硅基底设置的介质层和背离所述硅基底设置的掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层具有背离所述介质层一侧的第一表面，所述钝化接触结构的图形化区域与所述栅线区位置对应； 第一功能层，所述第一功能层设于所述第二背光区域对应的所述硅基底的表面和所述掺杂多晶硅层的表面； 所述第一电极，所述第一电极穿过所述第一功能层与所述掺杂多晶硅层欧姆接触； 其中，所述第一表面的平整度高于所述第二背光区域对应的所述背光面的平整度。
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