扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040478U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072715.X，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS在说明书摘要公布了：具备栅氧保护结的平面栅SiCMOS，涉及半导体技术领域。通过在器件栅极处微沟槽刻蚀形成凸台区，在凸台区的底部注入形成P‑shield区，实现了对器件栅氧化层的保护并且还同时减小了P‑shield区所带来的器件内阻增加。在器件阻断过程中，凸台区底部的P‑shield区可以很好的屏蔽电场，避免电场在栅氧化层集中。而又因P‑shield区的底面相较于P‑body区处于较高位置，因此P‑shield区所引起的内阻增加会较小，不会过多影响器件的性能。
本实用新型具备栅氧保护结的平面栅SiC MOS在权利要求书中公布了：1.具备栅氧保护结的平面栅SiCMOS，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）和CSL区（3）；所述CSL区（3）上设有： P-body区（4），从所述CSL区（3）的顶面向下延伸； NP区（5），从所述P-body区（4）的顶面向下延伸； PP区（6），从所述P-body区（4）的顶面向下延伸，与所述NP区（5）的侧部连接； P-shield区（7），从所述CSL区（3）的顶面中部向下延伸； 栅氧化层（8），盖设在所述P-shield区（7）上，其底面分别与所述NP区（5）、P-body区（4）、CSL区（3）和P-shield区（7）连接； Poly层（9），盖设在所述栅氧化层（8）上； 隔离介质层（10），包裹在所述栅氧化层（8）和Poly层（9）上，底面与所述NP区（5）连接；所述隔离介质层（10）的内侧分别与栅氧化层（8）和Poly层（9）连接； 源极欧姆接触合金层（11），设置在所述隔离介质层（10）的侧部，底面分别与所述NP区（5）和PP区（6）连接。
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