通威太阳能(成都)有限公司覃洪高获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利一种太阳电池及光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040506U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422005780.0，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型一种太阳电池及光伏组件是由覃洪高;程吉霖;孟夏杰设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳电池及光伏组件。该太阳电池包括：硅基底；半导体层，半导体层设于硅基底的表面；图形化的第一钝化层，第一钝化层设于半导体层背离硅基底一侧；透明导电层，透明导电层的材料为透明导电化合物，透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，第一透明导电子层设于半导体层背离硅基底的表面，且第一透明导电子层填充于第一钝化层的图形化区域未覆盖的镂空区域中，第二透明导电子层覆盖第一透明导电子层和第一钝化层背离硅基底的表面，第二透明导电子层的宽度为150μm～400μm；铜栅线，铜栅线设于透明导电层背离半导体层的一面，铜栅线的宽度为5μm～100μm。
本实用新型一种太阳电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，包括： 硅基底； 半导体层，所述半导体层设于所述硅基底的表面； 图形化的第一钝化层，所述第一钝化层设于所述半导体层背离所述硅基底一侧； 透明导电层，所述透明导电层的材料为透明导电化合物，所述透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，所述第一透明导电子层设于所述半导体层背离所述硅基底的表面，且所述第一透明导电子层填充于所述第一钝化层的图形化区域未覆盖的镂空区域中，所述第二透明导电子层覆盖所述第一透明导电子层和所述第一钝化层背离所述硅基底的表面，所述第二透明导电子层的宽度为150μm～400μm； 铜栅线，所述铜栅线设于所述透明导电层背离所述半导体层的一面，所述铜栅线的宽度为5μm～100μm。
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