西安电子科技大学李晓波获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于热电材料的宽光谱仿生自适应视觉传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411115394.5，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权一种基于热电材料的宽光谱仿生自适应视觉传感器及其制备方法是由李晓波;张建斌;杨如森设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于热电材料的宽光谱仿生自适应视觉传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于热电材料的宽光谱仿生自适应视觉传感器及其制备方法，属于仿生电子信息技术领域。该传感器包括衬底、介质层、半导体沟道层、源极与漏极；所述介质层形成于衬底上，所述源极与漏极位于介质层上且分别分布在介质层的两端，所述半导体沟道层位于所述源极与漏极之间；所述半导体沟道层采用准一维光热电材料Nb3Se12I晶体制成。其中，半导体沟道层具有光热电特性，用于实现光电转换和信号调制，该传感器实现了光强视觉自适应调制和宽光谱的响应范围。
本发明授权一种基于热电材料的宽光谱仿生自适应视觉传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于热电材料的宽光谱仿生自适应视觉传感器，其特征在于，包括衬底、介质层、半导体沟道层、源极与漏极； 所述介质层形成于衬底上，所述源极与漏极位于介质层上且分别分布在介质层的两端，所述半导体沟道层位于所述源极与漏极之间，且所述半导体沟道层的两端分别接触所述源极和所述漏极； 所述半导体沟道层采用准一维纳米线结构的光热电材料Nb3Se12I晶体制成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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