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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040504U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421962942.3，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型太阳能电池是由杨广涛;陈达明;陈奕峰设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池，包括：硅衬底，具有相对的第一面和第二面；本征非晶硅层和掺杂半导体层，依次层叠设置在第一面和硅衬底的侧面上；隧穿层和掺杂多晶硅层，依次层叠设置在第二面上，掺杂多晶硅层的掺杂类型与掺杂半导体层的掺杂类型相反；第一透明导电层和第二透明导电层，第一透明导电层设置在位于第一面上的掺杂半导体层上，第二透明导电层设置在掺杂多晶硅层上且延伸至硅衬底的侧面上，第一透明导电层还设置在位于硅衬底的侧面上的掺杂半导体上或位于硅衬底侧面上的第二透明导电层上；隔离槽，位于硅衬底的边缘处，且贯穿第一透明导电层和或第二透明导电层，和或隔离槽位于硅衬底的侧面，且贯穿第一透明导电层和第二透明导电层。该太阳能电池通过隔离槽断开透明导电层，能够减少短路电流。

本实用新型太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底110，具有相对的第一面111和第二面112； 本征非晶硅层120和掺杂半导体层130，依次层叠设置在所述第一面111和所述硅衬底110的侧面113上； 隧穿层140和掺杂多晶硅层150，依次层叠设置在所述第二面112上，所述掺杂多晶硅层150的掺杂类型与所述掺杂半导体层130的掺杂类型相反； 第一透明导电层160，设置在位于所述第一面111上的掺杂半导体层130上， 第二透明导电层170，设置在所述掺杂多晶硅层150上且延伸至所述硅衬底的侧面113上，所述第一透明导电层160还设置在位于所述硅衬底的侧面113上的掺杂半导体上或位于所述硅衬底侧面上的第二透明导电层170上；以及 隔离槽180，位于所述硅衬底110的边缘处，且贯穿所述第一透明导电层160和或所述第二透明导电层170，和或所述隔离槽180位于所述硅衬底的侧面113，且贯穿所述第一透明导电层160和所述第二透明导电层170。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。