台湾积体电路制造股份有限公司黄怡雯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有坝结构之封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223038936U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421879291.1，技术领域涉及：H01L23/24；该实用新型具有坝结构之封装结构是由黄怡雯;陈志豪;谢秉颖;廖一寰;郑礼辉设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有坝结构之封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种封装结构包括封装衬底、半导体装置、多个无源器件、盖体和坝结构。将半导体装置配置在封装衬底上并与其电性连接。将多个无源器件配置在封装衬底上，其中半导体装置被多个无源器件所围绕。将盖体配置在封装衬底上，并且盖体覆盖半导体装置以及多个无源器件。将坝结构配置在封装结构以及盖体之间，其中坝结构覆盖多个无源器件并且侧向地封闭半导体装置。
本实用新型具有坝结构之封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括： 封装衬底； 半导体装置，配置在所述封装衬底上并且与所述封装衬底电性连接； 多个无源器件，配置在所述封装衬底上，其中所述半导体装置被所述多个无源器件围绕； 盖体，配置在所述封装衬底上，所述盖体覆盖所述半导体装置和所述多个无源器件；以及 坝结构，配置在所述封装衬底与所述盖体之间，其中所述坝结构覆盖所述多个无源器件并且侧向封闭所述半导体装置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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