台湾积体电路制造股份有限公司张哲纶获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040475U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421852828.5，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由张哲纶;潘冠廷设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括第一源极漏极区，在横向Y方向上与第二源极漏极区隔开；鳍片结构，包括半导体纳米片，其中半导体纳米片在横向Y方向上由第一终端延伸至第二终端，第一终端邻近第一源极漏极区，而第二终端邻近第二源极漏极区，其中第一终端定义第一垂直平面，第一垂直平面垂直于横向Y方向；栅极结构的部分，位于半导体纳米片之下，且由第一终端延伸至第二终端；以及内间隔物，位于半导体纳米片之下，且抵接栅极结构的部分的第一终端，其中第一垂直平面通过内间隔物。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一源极漏极区，在一横向Y方向上与一第二源极漏极区隔开； 一鳍片结构，包括一半导体纳米片，其中该半导体纳米片在该横向Y方向上由一第一终端延伸至一第二终端，该第一终端邻近该第一源极漏极区，而该第二终端邻近该第二源极漏极区，其中该第一终端定义一第一垂直平面，该第一垂直平面垂直于该横向Y方向； 一栅极结构的一部分，位于该半导体纳米片之下，且由该第一终端延伸至该第二终端；以及 一内间隔物，位于该半导体纳米片之下，且抵接该栅极结构的该部分的该第一终端，其中该第一垂直平面通过该内间隔物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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