无锡市查奥微电子科技有限公司何海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市查奥微电子科技有限公司申请的专利一种碳化硅MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040477U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421771356.0，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种碳化硅MOSFET是由何海洋;陈蕾设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅MOSFET在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种碳化硅MOSFET。其技术方案包括：N型衬底和设置其上的外延层，以及下方的漏极，所述外延层的中央区域设有P‑Well区和二极管区，所述P‑Well区呈包裹状位于所述二极管区外围，所述外延层的边际设有侧边P型体，所述侧边P型体上设有交错状的P型‑Sic和N型‑Sic，本方案通过在外延层的中部设置P‑Well区和二极管区，二者位于芯片中央区域且宽度最大化设置因此可以有效降低了芯片中央的结温，因此芯片整体呈现的是相对均匀的温度，并且再配合外延层边际处的P型‑Sic和N型‑Sic，利用不同时在P型‑Sic与N型‑Sic施加高压和高温的效果，使得可以改善器件长时间受高温的情况，且改善反偏压漏电流的情况。
本实用新型一种碳化硅MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET，包括N型衬底2和设置其上的外延层3，以及下方的漏极1，其特征在于，所述外延层3的中央区域设有P-Well区4和二极管区5，所述P-Well区4呈包裹状位于所述二极管区5外围，所述外延层3的边际设有侧边P型体6，所述侧边P型体6上设有交错状的P型-Sic7和N型-Sic8，所述P型-Sic7和所述N型-Sic8均渗入所述侧边P型体6内，所述P-Well区4和所述二极管区5远离所述侧边P型体6的一侧均靠近所述外延层3的边际。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡市查奥微电子科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼1503；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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