Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 吉林大学秦冠仕获国家专利权

吉林大学秦冠仕获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件、制备方法及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118920256B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410995120.3,技术领域涉及:H01S3/1118;该发明授权一种基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件、制备方法及其应用是由秦冠仕;吕昶见;孟凡超;贾志旭;秦伟平设计研发完成,并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件、制备方法及其应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件、制备方法及其应用,属于激光技术领域,所述电调控可饱和吸收体器件包括光纤基底、金纳米薄膜、金属导线电极及可调直流电源;金纳米薄膜利用物理气相沉积技术蒸镀于光纤基底上,构成可饱和吸收体器件,金纳米薄膜通过金属导线电极连接至可调直流电源,构成回路,通过直流电源对所述金纳米薄膜施加电压,进而实现动态调控器件线性损耗与非线性可饱和吸收性质的目的;对金纳米薄膜施加直流电压,由于焦耳热效应,金纳米薄膜的温度随着电压的增加而升高,导致金纳米薄膜中电子‑声子散射几率和介电常数的改变,进而调制金纳米薄膜的表面等离激元共振吸收特性,以及器件的线性损耗与可饱和吸收性质参数。将该电调控可饱和吸收体作为调制器件应用于锁模光纤激光器,通过对电调控可饱和吸收体施加直流电压,可实时调节锁模激光的工作波长、脉冲宽度,以及实现激光工作状态的切换。

本发明授权一种基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件、制备方法及其应用在权利要求书中公布了:1.一种基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件,其特征在于,包括光纤基底、金纳米薄膜、金属导线电极及可调直流电源;所述金纳米薄膜利用物理气相沉积技术蒸镀于所述光纤基底上,构成可饱和吸收体器件,金纳米薄膜通过金属导线电极连接至可调直流电源,构成回路,通过直流电源对所述金纳米薄膜施加电压,进而实现动态调控可饱和吸收体器件线性损耗与非线性可饱和吸收性质的目的; 所述光纤基底包括D型光纤或拉锥光纤;光纤基质为石英光纤或氟化物光纤; 所述金纳米薄膜的厚度为3~50nm; 其中,所述一种基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件通过如下方法制备得到,所述方法具体包括如下步骤: 步骤一:超声清洗光纤基底; 步骤二:利用物理气相沉积技术在光纤基底上蒸镀一层铜薄膜作为晶种层; 步骤三:利用物理气相沉积技术在蒸镀过铜薄膜的光纤基底上蒸镀金薄膜,在光纤基底上得到所述金纳米薄膜; 步骤四:利用导电银胶将金属导线电极固定于金纳米薄膜的两端; 步骤五:将金属导线电极接入直流电源,构成闭合回路,得到所述基于金纳米薄膜的电调控可饱和吸收体器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人吉林大学,其通讯地址为:130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。