杭州谱析光晶半导体科技有限公司杨琦获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种电荷导通稳定的VDMOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040476U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421696059.4，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种电荷导通稳定的VDMOSFET器件是由杨琦;许一力设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电荷导通稳定的VDMOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种电荷导通稳定的VDMOSFET器件，包括若干个相互并列的MOS元胞；所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层；所述P阱层包括轻掺杂P阱一、重掺杂P阱一、重掺杂P阱二以及轻掺杂P阱二；所述N阱层包括轻掺杂N阱层一、轻掺杂N阱层二以及重掺杂N阱层一；所述扩散层的内部离子注入成型有重掺杂N阱层二；所述MOS元胞的下层表面欧姆连接有漏极。本实用新型通过在相邻MOS元胞之间共设高掺杂P阱以及低掺杂P阱，这种共设P阱层能够抑制电荷向相邻MOS元胞内扩散，以此来提高该VDMOSFET器件的电荷稳定性。
本实用新型一种电荷导通稳定的VDMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种电荷导通稳定的VDMOSFET器件，其特征在于，包括若干个相互并列的MOS元胞； 所述MOS元胞包括有衬底层2、扩散层3、P阱层以及N阱层； 所述P阱层包括轻掺杂P阱一10、重掺杂P阱一11、重掺杂P阱二12以及轻掺杂P阱二13； 所述N阱层包括轻掺杂N阱层一6、轻掺杂N阱层二7以及重掺杂N阱层一8； 所述扩散层3的内部离子注入成型有重掺杂N阱层二15； 所述MOS元胞的下层表面欧姆连接有漏极1，所述MOS元胞的上层表面欧姆连接有金属源极4； 单个所述MOS元胞的上层表面蚀刻有沟槽，其沟槽的内部沉积栅极5； 所述栅极5施加电压时，其扩散层3中形成JFET区域9，通过控制所述栅极5上电压，以调节JFET区域9的导电性。
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