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龙图腾网获悉华东交通大学申请的专利一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040025U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421664270.8，技术领域涉及：H04B10/516；该实用新型一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器是由龚煜民;刘志敏;程自强;石海泉;尤运;王彩云;罗昕设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器，由高阻硅层、二氧化硅层、共地电极和频率控制结构组成。二氧化硅层和高阻硅层相叠置，且二氧化硅层的下表面与高阻硅层的上表面相贴；频率控制结构叠置于二氧化硅层的上表面，共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构包括表面周期结构和引出结构。表面周期结构的透射单元由2个类C形的金属贴片、2个长条形的金属贴片和2个长条形的石墨烯贴片组成。2个引出结构分别与2个类C形的金属贴片连接。本实用新型可在同一芯片上实现太赫兹波选频、调制与频域编码，为集成化、多功能和小型化的太赫兹通信器件研发提供理论支撑和技术参考。

本实用新型一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器在权利要求书中公布了：1.一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器，包括编码器本体，其特征是，该编码器本体由高阻硅层2、二氧化硅层3、共地电极1和频率控制结构4组成；二氧化硅层3和高阻硅层2相叠置，且二氧化硅层3的下表面与高阻硅层2的上表面相贴；频率控制结构4叠置于二氧化硅层3的上表面，共地电极1叠置于高阻硅层2的下表面； 频率控制结构4包括表面周期结构和引出结构； 表面周期结构处于频率控制结构4的中部，且由多个呈规则矩阵排列的透射单元组成；每个透射单元均由4个金属贴片和2个石墨烯贴片构成；4个金属贴片分别为金属材料制成的上金属棒41、低频金属贴片44、高频金属贴片42和下金属棒43；2个石墨烯贴片分别为石墨烯材料制成的短石墨烯贴片46和长石墨烯贴片45；上金属棒41和下金属棒43均为横向延伸的长条形，且分别处于透射单元的上部和下部；低频金属贴片44和高频金属贴片42均为类C形，且分别处于透射单元的中部的上侧和下侧；低频金属贴片44的开口朝向上金属棒41方向，高频金属贴片42的开口朝向下金属棒43方向；低频金属贴片44的开口间隙小于高频金属贴片42的开口间隙；短石墨烯贴片46设置在低频金属贴片44的开口间隙处，其两端与低频金属贴片44的两端相连；长石墨烯贴片45设置在高频金属贴片42的开口间隙处，其两端与高频金属贴片42的两端相连； 引出结构处于表面周期结构的左右两侧，且由2个电极贴片47组成；2个电极贴片47分别为金属材料制成的低频电极贴片和高频电极贴片；低频电极贴片和高频电极贴片均为梳状，且两者的梳齿的数量与透射单元的行数相同；低频电极贴片的每个梳齿各与一行透射单元的低频金属贴片44相连，高频电极贴片的每个梳齿各与一行透射单元的高频金属贴片42相连； 共地电极1为金属材料制成的闭合环形；低频电极贴片经由一个开关与一个直流稳压电源的正极相连，高频电极贴片经由另一个开关与另一个直流稳压电源的正极相连，共地电极1与上述两个直流稳压电源的负极相连。

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