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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利一种太阳电池及光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223040513U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421602993.5，技术领域涉及：H10F77/70；该实用新型一种太阳电池及光伏组件是由廖文馨;杨焘;孟夏杰设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池及光伏组件。太阳电池包括：硅基底；图形化的半导体层，设于硅基底前表面或为形成于硅基底前表面的扩散层；硅基底后表面有第一非金字塔型结构，其相对硅基底的后表面内凹或凸出；对应于半导体层所在的区域，硅基底前表面有第二非金字塔型结构，其相对硅基底的前表面内凹或凸出设置；第一非金字塔型结构边长d1为1～25μm；第二非金字塔型结构边长d2为2～35μm；第一非金字塔型结构最长边为d1max，最短边为d1min，第二非金字塔型结构最长边为d2max，最短边为d2min，d2max+d2min2与d1max+d1min2的比值范围为1～1.5。

本实用新型一种太阳电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括： 硅基底，具有相背设置的前表面和后表面； 图形化的半导体层，所述半导体层设于所述硅基底的前表面上； 其中，所述硅基底的后表面具有若干第一非金字塔型结构，所述第一非金字塔型结构相对所述硅基底的后表面内凹或凸出设置；对应于所述半导体层所在的区域，所述硅基底的前表面具有若干第二非金字塔型结构，所述第二非金字塔型结构相对所述硅基底的前表面内凹或凸出设置；所述第一非金字塔型结构和所述第二非金字塔型结构在所述硅基底表面上的水平投影形状为多边形； 所述第一非金字塔型结构的边长d1为1μm～25μm；所述第二非金字塔型结构的边长d2为2μm～35μm；所述第一非金字塔型结构的最长边为d1max，所述第一非金字塔型结构的最短边为d1min，所述第二非金字塔型结构的最长边为d2max，所述第二非金字塔型结构的最短边为d2min，d2max+d2min2与d1max+d1min2的比值范围为1～1.5。

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