新存科技(武汉)有限责任公司王海平获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利一种具有对准标记的半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223038955U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421574738.4，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型一种具有对准标记的半导体结构是由王海平;秦俊峰;田宝毅设计研发完成，并于2024-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有对准标记的半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种具有对准标记的半导体结构，该半导体结构包括衬底和位于衬底上的对准标记层，对准标记层包括介质层和位于介质层中的第一对准标记和虚拟图形，第一对准标记包括多个第一矩形标记组，多个第一矩形标记组配置于一个矩形区域内，且第一矩形标记组邻接矩形区域的直角部。介质层包括外部标记区域和内部标记区域，外部标记区域位于矩形区域的外部，内部标记区域位于矩形区域的内部。其中，虚拟图形设置于外部标记区域和内部标记区域其中至少之一。通过在外部标记区域和或内部标记区域增加虚拟图形，可以保护第一对准标记，减少第一对准标记在研磨工艺中的磨损，进而提升良率。
本实用新型一种具有对准标记的半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种具有对准标记的半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 对准标记层，位于所述衬底上，且包括介质层和位于所述介质层中的第一对准标记和虚拟图形，所述第一对准标记包括多个第一矩形标记组，多个所述第一矩形标记组配置于一个矩形区域内，且所述第一矩形标记组邻接所述矩形区域的直角部；所述介质层包括外部标记区域和内部标记区域，所述外部标记区域位于所述矩形区域的外部，所述内部标记区域位于所述矩形区域的内部； 其中，所述虚拟图形设置于所述外部标记区域和所述内部标记区域其中至少之一。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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