南京大学余林蔚获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种超高分辨率纳米光源器件及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118099181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410219467.9，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种超高分辨率纳米光源器件及应用是由余林蔚;宋晓攀;晏磊;王军转设计研发完成，并于2024-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超高分辨率纳米光源器件及应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种超高分辨率纳米光源器件的制备方法，包括第一步、通过纳米线转移技术或采取光刻、刻蚀及纳米线直接生长技术，在绝缘衬底上制备底层导电纳米线阵列通道，在通道一端沉积底层金属电极；第二步、通过旋涂法制备功能发光材料薄膜作为纳米LED光源；第三步、通过转移法在功能发光材料上覆盖与底层导电纳米线阵列交叉的顶层导电纳米线阵列，并定义顶层金属电极区域，第四步、对制备的发光器件进行引线焊接及封装保护以提高稳定性。本发明提出了全新的可高密度集成的新型纳米光源显示技术，可实现25400PPI的超高空间分辨率，可应用于大面积高清虚拟现实（VR）技术领域。
本发明授权一种超高分辨率纳米光源器件及应用在权利要求书中公布了：1.一种超高分辨率纳米光源器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 第一步、通过纳米线转移技术或采取光刻、刻蚀及纳米线直接生长技术，在绝缘衬底上制备底层导电纳米线阵列通道，之后通过光刻及沉积工艺在所述通道一端沉积底层金属电极； 第二步、通过旋涂法制备功能发光材料薄膜作为纳米LED光源； 第三步、通过转移法在所述功能发光材料上覆盖与所述底层导电纳米线阵列交叉的顶层导电纳米线阵列，并定义顶层金属电极区域，所述底层金属电极与顶层金属电极采用电学连接形成电流回路，进行电学测试，即在交叉点处实现纳米级区域发光； 第四步、对制备的发光器件进行引线焊接及封装保护以提高稳定性。
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