湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利半导体终端结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410100864.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体终端结构及其制备方法、半导体器件是由袁俊;吴阳阳;王宽;郭飞;成志杰;陈伟;徐少东;彭若诗;朱厉阳;李明哲设计研发完成，并于2024-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体终端结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体终端结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体器件技术领域。该半导体终端结构位于外延片的终端区，该外延片还包括元胞区。该外延片包括衬底和位于衬底上的外延层，外延层中设置有若干个间隔分布的浮空岛；每个浮空岛中包含至少一层钳位层；钳位层与浮空岛的掺杂类型不同，钳位层、外延层和衬底的掺杂类型相同。该终端结构和包含该终端结构的半导体器件通过在浮空岛内设置钳位层来钳位浮空岛的电势和加速耗尽区的恢复，缓解动态退化效应，同时保证器件的击穿电压不会降低。
本发明授权半导体终端结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体终端结构，位于外延片的终端区，所述外延片还包括元胞区，所述外延片包括衬底和位于所述衬底上的外延层，其特征在于，所述外延层中设置有若干个间隔分布的浮空岛；每个所述浮空岛中包含至少一层钳位层；所述钳位层与所述浮空岛的掺杂类型不同，所述钳位层、所述外延层和所述衬底的掺杂类型相同；沿所述元胞区至所述终端区的方向上，多个所述浮空岛间隔排列；沿所述外延层至所述衬底的方向上，多个所述浮空岛间隔排列；沿与所述元胞区至所述终端区的方向垂直且与所述外延层至所述衬底的方向垂直的方向上，多个所述浮空岛间隔排列且同一层的所述钳位层连成一个整体。
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