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龙图腾网获悉宁夏福泰材料科技有限公司;宁夏福泰硅业有限公司;中国科学院过程工程研究所申请的专利深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117756118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311836304.7，技术领域涉及：C01B33/107；该发明授权深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法与装置是由刘宇航;陆平;李运昌;刘周恩;席成涛;陈锦溢;华超设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法与装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法，包括：将三氯氢硅粗品精馏分离依次脱除重组分杂质、轻组分杂质，得到含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品；将含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品蒸发成三氯氢硅蒸汽后通入到流化床吸附磷硼杂质装置内，并与改性活性炭吸附剂在流态化下充分接触混合，使三氯氢硅蒸汽中的痕量磷硼杂质被改性活性炭吸附剂充分吸附而被脱除，获得低磷硼杂质含量的三氯氢硅，改性活性炭吸附剂是通过氧化改性扩容和还原改性负载高活性含氮官能团制备得到。本申请还提供了用于上述方法的装置。本申请可深度脱除电子级三氯氢硅中磷硼杂质含量，大幅降低电子级三氯氢硅生产能耗。

本发明授权深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法，其特征在于，包括： S1、将三氯氢硅粗品（1a）精馏分离依次脱除重组分杂质（1c）、轻组分杂质（1e），得到含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品； S2、将含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品（1d）蒸发成三氯氢硅蒸汽（2a）后通入到流化床吸附磷硼杂质装置内，并与改性活性炭吸附剂（2b）在流态化下充分接触混合，使三氯氢硅蒸汽（2a）中的痕量磷硼杂质被改性活性炭吸附剂充分吸附而被脱除，获得低磷硼杂质含量的电子级三氯氢硅（2c）； 其中，改性活性炭吸附剂是通过氧化改性扩容和还原改性负载高活性含氮官能团制备得到的具有大比表面积、负载氮官能团的具有强极性和活性的活性炭； 所述吸附剂的制备方法为： 在一定温度和压力环境下，将粒径为0.1mm、比表面积为800m2g成型活性炭按一定比例与氧化剂混合并充分接触而发生氧化反应，对活性炭内结构进行调整，得到比表面积为1200m2g氧化改性活性炭； 在一定温度和压力的无氧环境下，将氧化改性活性炭与含氮元素的还原剂按一定比例混合并发生还原反应，使氧化改性活性炭表面负载上含氮官能团，得到改性活性炭吸附剂； 其中，当氧化剂为固体时，将氧化剂配制成溶液，溶液为饱和溶液或不饱和溶液，氧化剂与活性炭的质量比为0.1:1-1:1，氧化温度为保证氧化剂溶液不汽化或不使氧化剂发生分解的温度，氧化时的压力是常压或正压； 当氧化剂为液体时，氧化剂与活性炭的质量比为0.1:1-1:1，氧化温度为保证氧化剂溶液不汽化或不使氧化剂发生分解的温度，氧化时的压力是常压或正压； 当氧化剂为气体时，氧化剂与活性炭的质量比为0.1:1-1:1，氧化温度在保证氧化剂与活性炭不发生气化或燃烧，氧化时的压力是正压； 当还原剂为固体时，还原剂配制成溶液，溶液为饱和溶液或不饱和溶液，还原剂与活性炭的质量比为0.1:1-1:1；还原温度为保证还原剂溶液不汽化或不使还原剂发生分解的温度，还原反应的压力是常压或正压； 当还原剂为液体时，还原剂与活性炭的质量比为0.1:1-1:1，还原温度为保证还原剂溶液不汽化或不使还原剂发生分解的温度，还原反应的压力是常压或正压； 当还原剂为气体时，还原剂与活性炭的质量比为0.1:1-1:1，还原温度为保证还原剂与活性炭不发生物性变化的温度，还原反应的压力为正压； 其中，所述的含氮官能团为通过化学键或范德华力的作用力与活性炭原子结合在一起的单质氮或含氮化合物，官能团的含量为介于零至饱和负载量之间。

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