北京北方华创微电子装备有限公司林源为获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利含Sc层的刻蚀方法、半导体器件及其制造方法及工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311491378.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权含Sc层的刻蚀方法、半导体器件及其制造方法及工艺设备是由林源为;王建宗设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本含Sc层的刻蚀方法、半导体器件及其制造方法及工艺设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种含Sc层的刻蚀方法、半导体器件及其制造方法及工艺设备，该刻蚀方法包括循环执行的主刻蚀工艺步和辅刻蚀工艺步；主刻蚀工艺步包括向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对含Sc层进行刻蚀；辅刻蚀工艺步包括挥发步与冷却步中的至少一种；该制造方法包括该刻蚀方法；该半导体器件应用该制造方法形成凹槽栅结构；该工艺设备采用该刻蚀方法或制造方法。采用该刻蚀方法能够提高含Sc层的刻蚀速率。
本发明授权含Sc层的刻蚀方法、半导体器件及其制造方法及工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种含Sc层的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括循环执行的主刻蚀工艺步和辅刻蚀工艺步；其中， 所述主刻蚀工艺步包括：向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对所述含Sc层进行刻蚀，所述工艺气体包括含氯气体和惰性气体； 所述辅刻蚀工艺步包括：挥发步与冷却步中的至少一种； 所述挥发步包括：降低下电极功率至零功率或接近于零功率，减少工艺气体至零流量或接近零流量； 所述冷却步包括：降低下电极功率至零功率或接近于零功率，减少含氯气体至零流量或接近零流量，继续通入惰性气体。
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