中国科学院上海高等研究院王政获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海高等研究院申请的专利一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法以及BCP酸液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117385361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311450176.2，技术领域涉及：C23F3/06；该发明授权一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法以及BCP酸液是由王政;陈锦芳;黄亚威;宗玥;夏润之;邢帅;武佳妮;吴晓伟设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法以及BCP酸液在说明书摘要公布了：本发明涉及一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法，其包括利用HF、HNO3和H3PO4混合的BCP酸液与铌反应形成可溶的铌化合物进行超导铌腔表面抛光，其中，通过改变BCP酸液的配比以增大NO气体在BCP酸液中的气体溶解度并减小BCP酸液的粘度，以避免超导铌腔在BCP抛光过程中表面产生麻点凹坑。本发明还涉及一种BCP酸液，其中的k＝VHF+HNO3VH3PO4≥2，n＝VHNO3VHF＞1.64。根据本发明的解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法以及BCP酸液，可以解决超导铌腔BCP表面产生麻点凹坑问题，所抛光的铌表面和抛光的超导铌腔射频性能都非常好。
本发明授权一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法以及BCP酸液在权利要求书中公布了：1.一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法，其特征在于，该方法包括利用HF、HNO3和H3PO4混合的BCP酸液与铌反应形成可溶的铌化合物进行超导铌腔表面抛光，其中，该方法包括如下步骤： S1，提供BCP酸液，该BCP酸液的HF:HNO3:H3PO4=1:3:1； S2，利用温度T≤15℃的BCP酸液进行铌样品BCP抛光； S3，利用温度T≤15℃的BCP酸液进行超导铌腔内表面BCP抛光。
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