电子科技大学李启帆获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种S和C频段低损耗六角铁氧体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117486595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311440578.4，技术领域涉及：C04B35/26；该发明授权一种S和C频段低损耗六角铁氧体材料及其制备方法是由李启帆;梁亚辉;余忠;邬传健;蒋晓娜;孙科;兰中文设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种S和C频段低损耗六角铁氧体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种S和C频段低损耗六角铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述六角铁氧体材料包括主相和添加剂，主相为Ba5Cu2‑xNixTi3Fe12O31，其中，x＝0.5～1，添加剂为SiO2；添加剂占主相质量的0.5～1.5wt％；通过改变配方中Cu2+、Ni2+比例，调控磁晶各向异性、磁导率和自然共振频率，在S和C频段实现磁导率实部μ'≥1.8、磁损耗角正切tanδm≤0.08、介电常数实部ε'≥10、介质损耗角正切tanδd≤0.01，可用于Sub‑6GHz天线小型化，提高天线带宽，减小阻抗失配。
本发明授权一种S和C频段低损耗六角铁氧体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种S和C频段低损耗六角铁氧体材料，其特征在于，所述六角铁氧体材料包括主相和添加剂，主相为Ba5Cu2-xNixTi3Fe12O31，其中，x＝0.5～1，添加剂为SiO2；添加剂占主相质量的0.5～1.5wt％。
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