天合光能股份有限公司张雅倩获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117153946B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311249646.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用是由张雅倩;刘成法;陈红;简磊设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用。该硅片除杂方法，包括如下步骤：对硅片进行第一制绒处理，制备反射率为11％～35％的硅片中间体；在所述反射率为11％～35％的硅片中间体上制备非晶硅层，且在所述非晶硅层中掺杂磷；在所述非晶硅层上制备氧化层，制备第一中间体；对所述第一中间体进行退火处理，制备第二中间体；对所述第二中间体进行第二制绒处理。该方法具有吸杂效率高、条件温和、操作简单、低成本的优点，将除杂后的硅片用于器件中，能够增加光吸收，提高短路电流、开路电压和填充因子，最终提升器件的光电转换效率。
本发明授权硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅片除杂方法，其特征在于，包括如下步骤： 对硅片进行第一制绒处理，制备表面含机械损伤层，反射率为11％～35％的硅片中间体； 在所述硅片中间体上制备非晶硅层，且在所述非晶硅层中掺杂磷； 在所述非晶硅层上制备氧化层，制备第一中间体； 对所述第一中间体进行退火处理，制备第二中间体； 对所述第二中间体进行第二制绒处理； 其中，对所述第二中间体进行第二制绒处理包括如下步骤： 将所述第二中间体与酸液混合，制备第三中间体； 将所述第三中间体与第二碱液混合，进行所述第二制绒处理。
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