拓荆科技(上海)有限公司刘肖朦获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116904963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310921046.6，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法是由刘肖朦;陶海龙;张启辉设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法。前置结构包括：蒸汽钢瓶，其内部装有用以薄膜沉积的前驱体蒸汽，通过第一通路连接反应腔；压力测试薄膜规支路，设置于第一通路的支路上，通过压力测试薄膜规用以监控第一通路内的压力；以及吹扫支路，一端连接压力测试薄膜规支路，另一端连接从第一通路上分支出的尾排管路，吹扫支路、第一通路、压力测试薄膜规支路与尾排管路形成环状的吹扫回路，从第一通路中通入吹扫气体，吹扫气体完整地流经吹扫回路，以排出压力测试薄膜规支路内残留的前驱体蒸汽，吹扫支路上包括检测器，用以检测压力测试薄膜规支路内残留的前驱体蒸汽的化学源残余含量。
本发明授权一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积的前置结构，其特征在于，包括： 蒸汽钢瓶，其内部装有用以薄膜沉积的前驱体蒸汽，通过第一通路连接反应腔； 压力测试薄膜规支路，设置于所述第一通路的支路上，通过压力测试薄膜规用以监控所述第一通路内的压力；以及 吹扫支路，一端连接所述压力测试薄膜规支路，另一端连接从所述第一通路上分支出的尾排管路，所述吹扫支路、所述第一通路、所述压力测试薄膜规支路与所述尾排管路形成环状的吹扫回路，从所述第一通路中通入吹扫气体，所述吹扫气体完整地流经所述吹扫回路，以排出所述压力测试薄膜规支路内残留的所述前驱体蒸汽，所述吹扫支路上包括检测器，用以检测所述压力测试薄膜规支路内残留的所述前驱体蒸汽的化学源残余含量。
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