苏州磁亿电子科技有限公司代飞龙获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州磁亿电子科技有限公司申请的专利一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310639589.9，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法是由代飞龙;牛锋刚设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法；上述多层结构的晶界扩散薄膜包括依次从下往上设置的第一辅助扩散层、重稀土扩散源层、第二辅助扩散层和功能保护层，本发明在制备钕铁硼磁体的过程中，第一辅助扩散层在毛细血管效应作用下沿晶界相向磁体内部扩散从而构建了适合重稀土扩散的扩散通道，第二辅助扩散层中的材料熔化后不断扩散到重稀土扩散层中，对重稀土扩散层中的材料形成包覆，减少了重稀土扩散层中的材料与磁体表面的直接接触，避免了重稀土的过渡浪费，磁体的矫顽力得到提高；功能保护层的耐高温和抗氧化特性，避免了扩散物质的氧化，降低了HRE扩散源的消耗，防止磁体与磁体产生的粘连现象，提高装载量。
本发明授权一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层结构的晶界扩散薄膜，其特征在于，包括：依次从下往上设置的第一辅助扩散层、重稀土扩散源层、第二辅助扩散层和功能保护层； 所述第一辅助扩散层和第二辅助扩散层均为低熔点合金；所述低熔点合金为Nd-M合金或者Pr-M合金，其中，所述M是选自Al、Cu或Ni中的一种或多种； 所述重稀土扩散源层为HRE化合物或者HRE-M合金粉末； 所述HRE为Dy、Tb、Gd或Ho的一种或多种，所述HRE化合物是为HRE的氧化物、氟化物、氢化物、氯化物或硝酸盐的一种或多种，所述M为Fe、Co、Bi、Al、Ca、Mg、O、C、N、Cu、Zn、In、Si、S、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Hf、Ta或W中的一种或多种； 所述功能保护层为硫化钼粉末。
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