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龙图腾网获悉湖南芯力特电子科技有限公司申请的专利一种应用于高压工艺中的使能电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118554922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310165276.4，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种应用于高压工艺中的使能电路及芯片是由陈翔;张海潮设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高压工艺中的使能电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于高压工艺中的使能电路包括：第一转换模块的输入端与第一信号连接，通过对第一信号的转换操作，生成第二信号及第三信号；第二转换模块通过对第一使能信号的转换操作，生成第二使能信号；基准模块基于第二信号提供的电能生成基准信号；比较模块的输入端通过对第二使能信号与基准信号的比较操作，生成对应的第三使能信号；整形模块通过对第三使能信号的整形操作，生成控制后级负载开启的第四使能信号。能够将40伏特的使能信号精准地、稳定地转化成可供芯片或电路开启的使能信号，同时能够抵抗高压信号中的毛刺信号对后级的芯片或电路的干扰。结构简单，操作简便，具有广泛的适用性。

本发明授权一种应用于高压工艺中的使能电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种应用于高压工艺中的使能电路，其特征在于，所述应用于高压工艺中的使能电路至少包括：第一转换模块、第二转换模块、基准模块、比较模块及整形模块，其中： 所述第一转换模块的输入端与第一信号连接，通过对所述第一信号的转换操作，生成用于提供电能的第二信号及用于提供驱动的第三信号； 所述基准模块的输入端与所述第一转换模块的输出端连接，基于所述第二信号提供的电能生成基准信号；所述基准模块包括：第二电阻及第二NMOS功率管，其中：所述第二NMOS功率管的漏极与栅极连接，所述第二NMOS功率管的源极与参考地连接，其中，基于所述第二NMOS功率管的栅极生成所述基准信号；所述第二电阻连接于所述第二信号与所述第二NMOS功率管的漏极之间； 所述第二转换模块的输入端与第一使能信号及所述第三信号连接，通过对所述第一使能信号的转换操作，生成第二使能信号；所述第二转换模块包括：第三NMOS功率管及第四NMOS功率管，其中：所述第三NMOS功率管的漏极与所述第一使能信号连接，所述第三NMOS功率管的栅极与所述第三信号连接，其中，基于所述第三NMOS功率管的源极生成所述第二使能信号；所述第四NMOS功率管的漏极与所述第三NMOS功率管的源极连接，所述第四NMOS功率管的栅极与所述第二NMOS功率管的栅极连接，所述第四NMOS功率管的源极与参考地连接； 所述比较模块的输入端与所述基准模块的输出端及所述第二转换模块的输出端连接，通过对所述第二使能信号与所述基准信号的比较操作，生成对应的第三使能信号； 所述整形模块的输入端与所述比较模块的输出端连接，通过对所述第三使能信号的整形操作，生成控制后级负载开启的第四使能信号。

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