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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072763B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310104588.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法是由樊鹏;黄晓峰;张圆圆;陈扬;石羡;任丽;邹佩洪;杜林;兰林设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法，通过PIN型双异质结结构和双n型异质电导层结构的外延片制作共面的P、N金属电极，在光入射孔中生长增透膜，通过光敏性高分子聚合物材料填充形成平坦的芯片背部表面，最后再将晶圆解理形成单元芯片。本发明中，采用双异质结结构能够实现N电极接触孔腐蚀和InP衬底移除时的双向高精度控制和低损伤工艺；采用错位电极结构降低了n型InP电导层厚度，提高了器件对可见光的响应度；使用双面光刻技术对InP衬底进行选择性局部移除制作光入射孔，实现晶圆级的批量加工；使用对可见光透明的高分子聚合物材料对光入射孔进行填充对有源区提供了机械支撑，提高了芯片可靠性。

本发明授权基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S100、生长基于PIN型双异质结结构和双n型异质电导层结构的外延片； S200、在外延片上定义有源区并在有源区进行P型掺杂形成P型掺杂区； S300、在有源区外围定义N电极窗口，并在N电极窗口采用湿法腐蚀工艺制作N电极接触孔； S400、从所述有源区引出P金属电极，从所述N电极接触孔引出N金属电极，所述P金属电极和所述N金属电极共面； S500、将外延片的InP衬底减薄至预定厚度； S600、定义光入射窗口，并在光入射窗口采用湿法腐蚀工艺制作光入射孔； S700、在光入射孔中生长增透膜，并通过光敏性高分子聚合物材料填充形成平坦的芯片背部表面； S800、将晶圆解理形成单元芯片； 所述S100步骤包括以下子步骤： S110、在n型磷化铟衬底上生长n型错位电导层； S120、在n型错位电导层上生长n型磷化铟电导层； S130、在n型磷化铟电导层上生长n型磷化铟缓冲层； S140、在n型磷化铟缓冲层上生长非掺杂的铟镓砷吸收层； S150、在吸收层上生长n型磷化铟帽层； S160、在帽层上生长n型铟镓砷接触层； 所述S600步骤包括以下子步骤： S610、在外延片表面生长氧化硅薄膜作为衬底选择性移除阻挡介质膜； S620、定义光入射窗口，其区域为有源区在背抛光面的垂直投影区； S630、交替使用第二材料选择性腐蚀液和第一材料选择性腐蚀液依次湿法腐蚀去除光入射窗口的InP衬底和n型错位电导层，形成光入射孔。

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