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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利生成无源自混频器偏置电压的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116107377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310136763.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权生成无源自混频器偏置电压的电路是由左成杰;邱茂洋;刘京松设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本生成无源自混频器偏置电压的电路在说明书摘要公布了：本公开提供一种生成无源自混频器偏置电压的电路，包括：偏置模块，用于提供偏置电流；偏置电压生成模块，用于在所述偏置电流的作用下生成后级无源自混频器的PMOS管所需的栅端偏置电压，以及后级无源自混频器的NMOS管和PMOS管的源漏共模电平；以及补偿模块，用于对所述偏置电压及源漏共模电平进行补偿，使得后级无源自混频器在工作时的射频输入阻抗不会随着温度、工艺、电源电压变化而变化；其中，后级无源自混频器的NMOS管所需的栅端偏置电压直接由电源电压VDD提供。

本发明授权生成无源自混频器偏置电压的电路在权利要求书中公布了：1.一种生成无源自混频器偏置电压的电路，包括： 偏置模块，用于提供偏置电流； 偏置电压生成模块，用于在所述偏置电流的作用下生成后级无源自混频器的PMOS管所需的栅端偏置电压，以及后级无源自混频器的NMOS管和PMOS管的源漏共模电平；以及 补偿模块，用于对所述偏置电压及源漏共模电平进行补偿，使得后级无源自混频器在工作时的射频输入阻抗不会随着温度、工艺、电源电压变化而变化； 其中，后级无源自混频器的NMOS管所需的栅端偏置电压直接由电源电压VDD提供； 所述偏置模块包括基准电流源IR以及第二NMOS管M2；其中基准电流源IR用于提供偏置电流IREF，所述偏置电流IREF不随温度、工艺角、电源电压变化而变化；第二NMOS管M2，其栅极和漏极相连，并一同连接至所述基准电流源IR的下端，第二NMOS管M2的源极接地；所述基准电流源IR的上端连接至电源电压VDD； 所述偏置电压生成模块，包括第一NMOS管单元，以及第一PMOS管单元；第一NMOS管单元包括多个串联连接的NMOS管，其中，前一个NMOS管的源极连接至下一个NMOS管的漏极，第一个NMOS管的漏极连接至电源电压VDD，最后一个NMOS管的源极连接至第一节点CN1，所述多个串联连接的NMOS管的栅极共同连接至电源电压VDD；第一PMOS管单元包括多个串联连接的PMOS管，其中，前一个PMOS管的源极连接至下一个PMOS管的漏极，第一个PMOS管的漏极连接至第二节点CN2后并连接至第三NMOS管M3的漏极，最后一个PMOS管的源极连接至第一节点CN1，所述多个串联连接的PMOS管的栅极共同连接至第三NMOS管M3的漏极；所述第三NMOS管M3的栅极与第二NMOS管M2的栅极相连，所述第三NMOS管M3的源极接地； 所述补偿模块，包括：第一PMOS管M1，第一运算放大器OP1，第二NMOS管单元，第四NMOS管M4，第二PMOS管单元，电阻RREF，第二运算放大器OP2，第五NMOS管M5，第六NMOS管M6；其中，第一PMOS管M1的源极连接至电源电压VDD，漏极连接至第三节点CN3；第一运算放大器OP1的反相输入端连接至第一节点CN1，同相输入端连接至第三节点CN3，输出端连接至所述第一PMOS管M1的栅极；第二NMOS管单元包括多个串联连接的NMOS管，其中，前一个NMOS管的漏极连接至下一个NMOS管的源极，第一个NMOS管的源极连接至第四节点CN4，最后一个NMOS管的漏极连接至第三节点CN3，所述多个串联连接的NMOS管的栅极共同连接至电源电压VDD；第四NMOS管M4的漏极连接至第四节点CN4，栅极连接至第三NMOS管M3的栅极，源极接地；第二PMOS管单元包括多个串联连接的PMOS管，其中，前一个PMOS管的源极连接至下一个PMOS管的漏极，第一个PMOS管的漏极连接至第四节点CN4，最后一个PMOS管的源极连接至第三节点CN3，所述多个串联连接的PMOS管的栅极共同连接至第二节点CN2；电阻RREF的上端连接至第三节点CN3；第二运算放大器OP2的反相输入端连接至第四节点CN4，正相输入端连接至第五节点CN5后连接至电阻RREF的下端；第五NMOS管M5的漏极连接至第二运算放大器OP2的正相输入端，源端接地，栅极连接至第四NMOS管M4的栅极；第六NMOS管M6的栅极连接至第二运算放大器OP2的输出端，漏极连接至第二节点CN2，源极接地。

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