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龙图腾网获悉深圳市兰科半导体科技有限公司申请的专利一种基于非极性隔离带的NPN器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310013809.7，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权一种基于非极性隔离带的NPN器件及其制备方法是由何涛泳;霍玉苓设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于非极性隔离带的NPN器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于非极性隔离带的NPN器件，包括P型衬底、N型埋层、N型外延层，N型外延层的两端分别设有第一隔离带；两条第一隔离带之间，依次形成有P型深阱区、第二隔离带和第一扩散区；P型深阱区内分别形成有第二扩散区和第三扩散区；N型外延层上形成有第一绝缘层，第一绝缘层上形成有第二绝缘层；第二绝缘层上依次间隔设有第一金属、第二金属和第三金属；第一金属深入第二扩散区内；第二金属深入第三扩散区内；第三金属深入第一扩散区内。本发明可应用到集成度较高的电路中，且能够满足中高等的工作电压和工作频率。

本发明授权一种基于非极性隔离带的NPN器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非极性隔离带的NPN器件，其特征在于：包括P型衬底（1），所述P型衬底（1）上形成有N型埋层（2），所述N型埋层（2）上形成有N型外延层（3），所述N型外延层（3）的两端分别设有向下延伸且穿过N型埋层（2）深入P型衬底（1）内、并填充有非极性材料的第一隔离带（8）； 两条所述第一隔离带（8）之间，从左至右依次形成有P型深阱区（4）、填充有非极性材料的第二隔离带（7）和第一扩散区（6）；其中，第二隔离带（7）和第一扩散区（6）均向下延伸至N型埋层（2）内； 所述P型深阱区（4）内分别形成有第二扩散区（5）和第三扩散区（9）；所述N型外延层（3）上形成有第一绝缘层（10），所述第一绝缘层（10）上形成有第二绝缘层（11）； 所述第二绝缘层（11）上从左至右依次间隔设有第一金属、第二金属和第三金属；所述第一金属（12）向下延伸穿过第一绝缘层（10）深入第二扩散区（5）内；所述第二金属（13）向下延伸穿过第一绝缘层（10）深入第三扩散区（9）内；所述第三金属（14）向下延伸穿过第一绝缘层（10）深入第一扩散区（6）内； 所述第一扩散区（6）和第二扩散区（5）均为N型扩散区，第三扩散区（9）为P型扩散区；所述第一扩散区（6）、第二扩散区（5）和第三扩散区（9）形成的结构为NPN器件。

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