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龙图腾网获悉苏州昀冢电子科技股份有限公司申请的专利电容器以及电容器制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310005234.4，技术领域涉及：H01G4/005；该发明授权电容器以及电容器制造方法是由郭建鸿设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器以及电容器制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电容器以及电容器制造方法，电容器包括主体以及两个外电极，主体设有外周面以及两端面，两个外电极分别设置于主体的两端面，两个外电极分别包覆对应的端面以及至少部分外周面，主体包括交替层叠的多个介电层和内电极，相邻内电极形成内电极组，每内电极组的其中一内电极的一端电性连接其中一外电极，每内电极组的另外一内电极的一端电性连接另一外电极，主体还包括形成于对应内电极的至少一侧并位于相邻介电层之间的空隙，空隙形成于电容器的内部，该空隙可以减少噪声，吸收介电层变形量以及降低内部应力进而防止裂纹产生。

本发明授权电容器以及电容器制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器，包括主体以及两个外电极，所述主体设有外周面以及两端面，两个所述外电极分别设置于所述主体的两所述端面，两个所述外电极分别包覆对应的所述端面以及至少部分所述外周面，所述主体包括交替层叠的多个介电层和内电极，相邻所述内电极形成内电极组，每内电极组的其中一内电极的一端电性连接其中一所述外电极，每内电极组的另外一内电极的一端电性连接另一所述外电极，其特征在于：所述主体还包括形成于对应内电极的至少一侧并位于相邻介电层之间的空隙，所述空隙形成于所述电容器的内部，每一所述内电极包括暴露于所述端面并电性连接所述外电极的外端面及分布于所述介电层投影面积内的内周面，述内周面包括与所述主体的端面间隔设置的内端面及连接所述内端面和所述外端面之间的侧面，所述空隙位于所述内周面的至少一侧并连通至所述内电极，所述空隙包括在所述电容器的长度方向上形成于所述内端面和所述主体的端面之间的第一间隙，所述第一间隙连通至所述内电极的所述内端面和所述外电极的内表面，所述第一间隙包括连通至所述主体的所述外周面的间隙部，所述间隙部沿电容器长度方向的尺寸小于所述外电极包覆所述外周面的尺寸，所述间隙部沿电容器宽度方向的尺寸等于所述介电层的尺寸，所述间隙部被所述外电极包覆，所述第一间隙还包括自所述间隙部朝向所述内电极方向延伸并与所述内电极连通的间隙延伸部，所述间隙延伸部沿电容器宽度方向的尺寸等于所述内电极的尺寸，所述间隙延伸部被所述介电层包覆。

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