青岛佳恩半导体有限公司王丕龙获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种逆导型IGBT器件和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310001514.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种逆导型IGBT器件和制造方法是由王丕龙;王新强;杨玉珍设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种逆导型IGBT器件和制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种逆导型IGBT器件和制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种逆导型IGBT器件包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极区、导电掺杂区、n型场截止层、n‑漂移区、p型基区、第一介质层、第二介质层、集电极电极和发射极电极；其中，所述导电掺杂区内设有扩散跑道，所述n型场截止层内设有分散跑道，所述分散跑道上通过若干引流孔与所述n‑漂移区接触，所述分散跑道的两侧均通过分流通道与所述扩散跑道接触。扩散跑道通过分流通道向分散跑道引入电子，并于分散跑道形成分散，再通过引流孔与n‑漂移区的接触作用，可将电子以更快的速度注入n‑漂移区，进而若干个引流孔的设置，能够消除电压折回现象。
本发明授权一种逆导型IGBT器件和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极区、导电掺杂区、n型场截止层、n-漂移区、p型基区、第一介质层、第二介质层、集电极电极和发射极电极，所述p型基区和所述n-漂移区内设有相对的栅电极区，所述栅电极区的表面设有第一绝缘膜，每个所述第一绝缘膜的一侧分别设有P+区域和N+发射区，所述第一介质层和所述第二介质层的两侧均设有绝缘层；其中，所述导电掺杂区内设有扩散跑道，所述n型场截止层内设有分散跑道，所述分散跑道上通过若干引流孔与所述n-漂移区接触，所述分散跑道的两侧均通过分流通道与所述扩散跑道接触。
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