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上海科技大学马延航获国家专利权

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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种利用电子衍射确定手性有机晶体绝对结构的方法及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115855991B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211715321.0,技术领域涉及:G01N23/20058;该发明授权一种利用电子衍射确定手性有机晶体绝对结构的方法及其应用是由马延航;王俪锦设计研发完成,并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

一种利用电子衍射确定手性有机晶体绝对结构的方法及其应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种利用电子衍射确定手性有机晶体绝对结构的方法及其应用,包括以下步骤:获取正带轴选区电子衍射图、偏离正带轴选区电子衍射图、软件模拟电子衍射图和动力学模拟电子衍射花样强度图;正带轴选区电子衍射图和偏离正带轴选区电子衍射图叠加,获得实验重构电子衍射图;比较软件模拟电子衍射图和实验重构电子衍射图,从而确定待测晶体的实验重构电子衍射图的绝对方向;提取正带轴选区电子衍射图中电子衍射点的积分强度,获得实验电子衍射花样强度图;分别比较动力学模拟电子衍射花样强度图和实验电子衍射花样强度图的匹配度,从而确定待测晶体分子的绝对构型。克服单张选区电子衍射的晶带轴方向不确定性难题。

本发明授权一种利用电子衍射确定手性有机晶体绝对结构的方法及其应用在权利要求书中公布了:1.一种利用电子衍射确定手性有机晶体绝对结构的方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)获取待测晶体的正带轴选区电子衍射图A、偏离正带轴选区电子衍射图B、软件模拟电子衍射图C和动力学模拟电子衍射花样强度图D1和D2,所述正带轴选区电子衍射图A中包括零阶衍射点,所述偏离正带轴选区电子衍射图B中包括零阶衍射点和一阶衍射点,获取偏离正带轴选区电子衍射图B时,所述待测晶体旋转偏离正带轴的角度为0-5°; (2)将步骤(1)中的正带轴选取电子衍射图A和偏离正带轴选取电子衍射图B叠加,获得实验重构电子衍射图E; (3)比较步骤(1)所得的软件模拟电子衍射图C和步骤(2)所得的实验重构电子衍射图E,并旋转所述实验重构电子衍射图E的方向,使得实验重构电子衍射图E的方向与所述软件模拟电子衍射图C的方向一致,从而确定待测晶体的实验重构电子衍射图E的绝对方向; (4)提取步骤(1)所述正带轴选取电子衍射图A中电子衍射点的积分强度,并将该积分强度录入步骤(2)所得的实验重构电子衍射图E中,获得实验电子衍射花样强度图F; (5)分别比较步骤(1)所述动力学模拟电子衍射花样强度图D1和D2和步骤(4)所述实验电子衍射花样强度图F的匹配度,从而确定待测晶体的绝对构型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海科技大学,其通讯地址为:201210 上海市浦东新区华夏中路393号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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