芯合半导体公司陈威全获国家专利权
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龙图腾网获悉芯合半导体公司申请的专利形成MRAM器件的方法及MRAM器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211682071.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权形成MRAM器件的方法及MRAM器件是由陈威全;许宏辉;李志远;徐移恒设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成MRAM器件的方法及MRAM器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种形成MRAM器件的方法及MRAM器件。所述形成方法中，在半导体衬底上的下金属层上方形成MTJ叠层并通过第一刻蚀形成MTJ部件，暴露出所述MTJ叠层下方的部分底电极层或部分导通孔，然后通过氧化处理使MTJ部件侧壁的导电性再沉积物以及MTJ部件周围被暴露的部分底电极层或部分导通孔氧化，接着再进行入射蚀刻角小于45°的第二刻蚀，去除形成于所述MTJ部件侧壁的氧化层，所述第二刻蚀的入射蚀刻角较小，便于充分去除所述MTJ部件侧壁的氧化层以及可能对MTJ部件性能产生影响的侧壁损伤部分，确保MTJ部件的可靠性。
本发明授权形成MRAM器件的方法及MRAM器件在权利要求书中公布了：1.一种形成至少一个MRAM器件的方法，其特征在于，所述方法包括： 形成第一介电层于半导体衬底上的下金属层上方； 形成贯穿所述第一介电层的导通孔以及底电极层，所述底电极层填充于所述导通孔并覆盖所述第一介电层，所述底电极层通过所述导通孔与所述下金属层连接； 形成MTJ叠层于所述底电极层上； 对所述MTJ叠层进行第一刻蚀，以对应于所述导通孔形成MTJ部件，并暴露出所述MTJ部件周围的部分所述底电极层，其中，经所述第一刻蚀，所述MTJ部件的侧壁形成导电性再沉积物； 进行氧化处理，通过氧化所述导电性再沉积物，在所述MTJ部件的侧壁形成侧壁氧化层，并且，通过氧化所述MTJ部件周围被暴露的部分所述底电极层，形成位于所述MTJ部件周围的底面氧化层，位于所述MTJ部件和所述底面氧化层下方的未被氧化的所述底电极层构成底电极；以及 进行第二刻蚀，去除所述侧壁氧化层，所述第二刻蚀的入射蚀刻角小于45°。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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