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龙图腾网获悉朝阳微电子科技股份有限公司申请的专利一种低电压低漏电二极管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211611903.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种低电压低漏电二极管的制造方法是由王立伟;陈宇设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低电压低漏电二极管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低电压低漏电二极管的制造方法，所述低电压低漏电二极管包括硅片，硅片为P型材料，区分正面，背面，正面经过加工后表面淀积为多晶硅，同时刻蚀有隔离槽，在隔离槽内部有光阻玻璃粉进行填充，进一步减少漏电；所述低电压低漏电二极管的制造方法包括：硅片清洗、淀积多晶硅、有源区注入、再分布、隔离槽光刻、隔离槽刻蚀、光阻玻璃粉烧熔、二次光刻、硅片正面金属化、反刻金属、硅片背面清洗、硅片背面金属化、划片和芯片贮存。本发明的有益效果是：该低电压低漏电二极管制造方法，具有电压低，漏电流小，稳定性强，可靠性高等优点，可以广泛应用于各种环境和质量等级要求。

本发明授权一种低电压低漏电二极管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低电压低漏电二极管的制造方法，其特征在于：所述低电压低漏电二极管包括硅片1，硅片1为P型材料，区分正面2，背面3，正面2经过加工后表面淀积为多晶硅4，同时刻蚀有隔离槽5，在隔离槽5内部有光阻玻璃粉6进行填充，进一步减少漏电；所述低电压低漏电二极管的制造方法包括：硅片清洗、淀积多晶硅、有源区注入、再分布、隔离槽光刻、隔离槽刻蚀、光阻玻璃粉烧熔、二次光刻、硅片正面金属化、反刻金属、硅片背面清洗、硅片背面金属化、划片和芯片贮存；其具体实施步骤是： 步骤一：所述硅片清洗：采用化学反应和熔洗的方法对硅片1进行清洗，获得具有高洁净度表面的硅片； 步骤二：所述淀积多晶硅：采用POLY工艺对经步骤一处理后的硅片正面2进行多晶硅淀积； 步骤三：所述有源区注入：对经步骤二处理后的硅片正面2区域内进行离子注入，使单晶材料在限定的区域内获得规定的掺杂离子，形成有源区7； 步骤四：所述再分布：经步骤三处理后的硅片，在高温干氧氛围中，使有源区7内注入的掺杂离子向硅片内部进行扩散分布，最终形成结深为2-3微米的有源区7； 步骤五：所述隔离槽光刻：采用旋涂法在硅片正面2涂一层光刻胶，使用隔离槽光刻板在硅片正面2采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在光刻胶薄膜上刻蚀出隔离环窗口； 步骤六：所述隔离槽刻蚀：步骤五之后，对硅片正面2进行刻蚀，形成深度为20微米的隔离槽5； 步骤七：所述光阻玻璃粉烧熔：在完成步骤一至六后进行光阻玻璃粉烧熔，烧熔后隔离槽内被玻璃粉填充满； 步骤八：所述二次光刻：步骤七之后，进行二次光刻，采用旋涂法在硅片正面2涂一层光刻胶，选择二次光刻板，采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在光刻胶上刻蚀出电极窗口； 步骤九：所述硅片正面金属化：步骤八之后，采用蒸发工艺，在硅片正面2形成金属膜； 步骤十：所述反刻金属：步骤九之后，采用旋涂法在硅片正面2涂一层光刻胶，使用反刻金属光刻板在硅片正面2采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在光刻胶薄膜上刻蚀出电极； 步骤十一：所述硅片背面清洗：步骤十之后，对硅片背面3进行化学清洗，获得具有高洁净度背面的硅片； 步骤十二：所述硅片背面金属化：步骤十一之后，采用蒸发工艺，在硅片背面3形成金属膜； 步骤十三：所述划片：步骤十二之后，采用金刚砂轮对硅片进行切割，得到成品芯片。

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