武汉华星光电技术有限公司李治福获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利薄膜晶体管基板及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211574828.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜晶体管基板及电子器件是由李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟;李壮设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管基板及电子器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜晶体管基板及电子器件，所述薄膜晶体管基板包括：衬底基板；凸台，所述凸台包括底切结构，所述底切结构位于所述凸台的侧壁上；填充物，位于所述底切结构内；有源层，位于所述凸台和所述衬底基板上，所述有源层包括沟道，所述沟道覆盖所述底切结构和所述填充物。本发明通过在薄膜晶体管基板上设置包括底切结构的凸台，在激光退火过程中，底切结构内的有源层材料作为籽晶，最终形成单颗晶粒构成的沟道，减小了薄膜晶体管的沟道的长度，有利于提高所述薄膜集体管在基板上的集成度，单颗晶粒构成的沟道不存在境界，提高了薄膜晶体管的迁移率。
本发明授权薄膜晶体管基板及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 凸台，位于所述衬底基板上，所述凸台包括底切结构，所述底切结构位于所述凸台的侧壁上； 填充物，位于所述底切结构内，所述填充物为非晶硅； 有源层，位于所述凸台和所述衬底基板上，所述有源层包括沟道，所述沟道覆盖所述底切结构和所述填充物； 所述凸台包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层在所述衬底基板上依次叠层设置； 在所述第一膜层和所述第二膜层的交界处，所述第一膜层局部内缩形成所述底切结构；所述第二膜层的底面和所述第一膜层的侧壁构成所述底切结构，所述底面为所述第二膜层与所述第一膜层接触的表面； 所述底切结构位于所述凸台靠近所述衬底基板的一侧。
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