深圳市华星光电半导体显示技术有限公司刘木斯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利印刷电路板、覆晶薄膜内充电时间的补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211561413.8，技术领域涉及：G04F10/00；该发明授权印刷电路板、覆晶薄膜内充电时间的补偿方法是由刘木斯设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本印刷电路板、覆晶薄膜内充电时间的补偿方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种印刷电路板、一种覆晶薄膜内充电时间的补偿方法，该印刷电路板包括衬底、覆晶薄膜、测试端，覆晶薄膜沿衬底的长边方向设置有960个接口，任一覆晶薄膜对应设置有至少四个测试端，至少四个测试端包括第一补偿测试端、第二补偿测试端、与覆晶薄膜上的第1个接口连接的第一测试端、与覆晶薄膜上的第960个接口连接的第二测试端，第一补偿测试端与第2个接口至第480个接口中的任一者连接，第二补偿测试端与第481个接口至第959个接口中的任一者连接；通过使任一覆晶薄膜对应连接有四个测试端子，能够实现对单个覆晶薄膜内多条扇出走线的充电时间进行测量及补偿。
本发明授权印刷电路板、覆晶薄膜内充电时间的补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种印刷电路板，其特征在于，包括： 衬底； 至少两个覆晶薄膜，所述覆晶薄膜设置于所述衬底上，所述覆晶薄膜上沿所述衬底的长边方向设置有960个接口； 测试端，任一所述覆晶薄膜对应设置有至少四个测试端，所述测试端与所述接口通过连接走线一一对应连接，所述至少四个测试端包括与所述覆晶薄膜上的第1个所述接口连接的第一测试端、与所述覆晶薄膜上的第960个所述接口连接的第二测试端； 其中，所述至少四个测试端还至少包括第一补偿测试端、第二补偿测试端，所述第一补偿测试端与第2个接口至第480个所述接口中的任一者连接，所述第二补偿测试端与第481个所述接口至第959个所述接口中的任一者连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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