江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利基于硅基缓冲层的发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211547627.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权基于硅基缓冲层的发光二极管外延片及其制备方法是由程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于硅基缓冲层的发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种基于硅基缓冲层的发光二极管外延片及其制备方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上沿外延方向依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层及p型GaN层；所述缓冲层包括沿外延方向依次沉积的SiN层、AlxSi1‑xN过渡层、AlN层及低温AlyGa1‑yN缓冲层高温AlyGa1‑yN缓冲层超晶格结构；所述缓冲层的生长气氛为NH3N2。本发明的制备方法能够有效减少硅衬底与GaN之间的晶格失配及热失配，降低缺陷密度，提高GaN晶体质量，减少外延片裂纹，提升发光二极管的发光效率。
本发明授权基于硅基缓冲层的发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅基缓冲层的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底； 在所述硅衬底上沿外延方向依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层及p型GaN层； 所述缓冲层包括沿外延方向依次沉积的SiN层、AlxSi1-xN过渡层、AlN层及低温AlyGa1-yN缓冲层高温AlyGa1-yN缓冲层超晶格结构； 所述缓冲层的生长气氛为NH3N2。
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