首都师范大学周庆莉获国家专利权
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龙图腾网获悉首都师范大学申请的专利基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511219.9，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件及系统是由周庆莉;梁菀琳;张存林设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件、太赫兹波调制系统、信息加密系统。其中，电流调制太赫兹器件包括：对太赫兹波透明的基底；形成于基底上的VO2层；形成于VO2层上的微谐振器；微谐振器包括：形成于VO2层上，用于加载偏置电流，左右对称的电流正极端和电流负极端；形成于VO2层上，电流正极端和电流负极端内侧，左右对称，阵列布置的N×M个谐振单元，N≥2，M≥2；谐振单元呈具有LC共振模式的裂环结构，每行的M个谐振单元依次串联，N行谐振单元的两端分别连接至电流正极端和电流负极端。本发明相比于激光照射、电压调控、传统热控等方式，具有操作简单，更易于同当前集成电路技术相融合等优势。
本发明授权基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件，其特征在于，包括：对太赫兹波透明的基底；形成于所述基底上的VO2层；形成于所述VO2层上的微谐振器； 所述微谐振器包括：形成于所述VO2层上，用于加载偏置电流，左右对称的电流正极端和电流负极端；形成于所述VO2层上所述电流正极端和电流负极端内侧，左右对称，阵列布置的N×M个谐振单元，N≥2，M≥2； 其中，所述谐振单元呈具有LC共振模式的裂环结构，每行的M个谐振单元依次串联，N行谐振单元的两端分别连接至所述电流正极端和电流负极端； 其中，在水平方向上，所述谐振单元上下对称，包括：封闭环；分别穿过所述封闭环左、右两侧的左延伸臂和右延伸臂；所述左延伸臂的左侧连接所述电流正极端或上一谐振单元的右延伸臂；所述右延伸臂的右侧连接下一谐振单元的左延伸臂或所述电流负极端；所述左、右延伸臂之间形成矩形开口区域； 其中，所述封闭环为以下形式其中之一：封闭方环、封闭圆环、封闭矩形环。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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