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龙图腾网获悉江苏集创原子团簇科技研究院有限公司申请的专利一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115715143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211464003.1，技术领域涉及：H10N52/85；该发明授权一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件是由张帅;应哲;陈宁;宋凤麒设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件在说明书摘要公布了：一种基于低维反铁磁铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件，一种基于低维反铁磁铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件，1由低维铁磁绝缘体覆盖反铁磁拓扑绝缘体构成异质结；异质结的构型有两种，即铁磁绝缘体完整覆盖反铁磁拓扑绝缘体和铁磁绝缘体半覆盖反铁磁拓扑绝缘体；2在异质结上方覆盖一层非磁性的绝缘保护层；3在异质结中，能观测到明显的交换偏置效应；4通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置的符号；5器件所用材料体系为范德瓦尔斯层状材料；通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置符号；在磁性材料居里温度和奈尔温度以下，利用低温和磁场进行磁输运测量能测量反常霍尔效应。

本发明授权一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件在权利要求书中公布了：1.一种基于低维反铁磁铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件，其特征在于：1由低维铁磁绝缘体覆盖反铁磁拓扑绝缘体构成异质结；异质结的构型有两种，即铁磁绝缘体完整覆盖反铁磁拓扑绝缘体和铁磁绝缘体半覆盖反铁磁拓扑绝缘体；2在异质结上方覆盖一层非磁性的绝缘保护层；3在异质结中，能观测到明显的交换偏置效应；4通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置的符号；5器件所用材料体系为范德瓦尔斯层状材料，有利于器件的制备与集成；通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置的符号；对异质结器件进行场冷，取磁场垂直样品表面向上为场冷的正方向；在磁性材料的居里温度和奈尔温度以下，利用低温和磁场环境下进行磁输运测量，能测量反常霍尔效应；在全覆盖的异质结器件中，能观测到负的交换偏置效应；在半覆盖的异质结器件中，能观测到正的交换偏置效应；从100K以上的温度开始施加一个磁场进行场冷，场冷的起始温度要超过两种材料的磁性临界温度，再降温到两者的磁性临界温度以下测量交换偏置；异质结器件中的低维铁磁绝缘体为CrI3、CrBr3，低维反铁磁拓扑绝缘体选择MnBi2Te4。

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