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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件的形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211378614.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体器件的形成方法及半导体器件是由周玉;胡胜;孙鹏设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。所述半导体器件的形成方法中，先形成堆叠芯片单元，再通过芯片‑晶圆键合将至少一个所述堆叠芯片单元键合到封装晶圆表面，并在所述封装晶圆及其上的所述堆叠芯片单元表面形成第一填充覆盖层以进行晶圆重塑，得到第一重塑晶圆，该形成方法将芯片级尺寸的堆叠芯片单元与晶圆级尺寸的封装晶圆堆叠，能够实现高密度的芯片堆叠，并且，可以通过芯片‑晶圆键合在第一重塑晶圆上继续键合所述堆叠芯片单元，能够进一步提高芯片堆叠密度，工艺效率高，有助于降低工艺成本和缩短制造周期。所述半导体器件的制作可采用上述半导体器件的形成方法。

本发明授权半导体器件的形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 形成堆叠芯片单元，所述堆叠芯片单元包括沿厚度方向堆叠并互连的多个芯片，所述多个芯片通过键合电性连接； 提供封装晶圆，并进行芯片-晶圆键合，在所述封装晶圆表面键合至少一个所述堆叠芯片单元；以及 在所述封装晶圆及所述封装晶圆上的所述堆叠芯片单元表面形成第一填充覆盖层以进行晶圆重塑，得到第一重塑晶圆，所述第一重塑晶圆包括在所述封装晶圆上堆叠的一层所述堆叠芯片单元； 在所述第一重塑晶圆上重复进行所述芯片-晶圆键合以及所述晶圆重塑的工艺，以在所述封装晶圆上堆叠至少两层所述堆叠芯片单元，其中，在形成所述第一重塑晶圆后，利用晶圆级工艺在所述第一重塑晶圆远离所述封装晶圆的一侧形成与第一重塑晶圆中的所述堆叠芯片单元连接的晶圆级互连结构和晶圆级键合结构，并利用所述晶圆级键合结构在第一重塑晶圆表面键合至少一个所述堆叠芯片单元； 其中，所述晶圆级键合结构包括介质层和形成于所述介质层中的金属键合垫，所述介质层横跨所述第一重塑晶圆中的各所述堆叠芯片单元并覆盖所述晶圆级互连结构，所述金属键合垫穿过所述介质层并与所述晶圆级互连结构连接。

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