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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211172692.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件是由刘继芝;彭钰航设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路的静电放电ESD：ElectrostaticDischarge保护领域，提供了一种利用二次回滞特性的提高维持电流的高鲁棒性SCR器件。该结构与传统的SCR结构相比，调换了N型阱区中N型重掺杂区和P型重掺杂区的位置，提高了在其两端产生所需压降的电流。在N型阱区中加入了额外的N型浮空重掺杂区，增加了新的NPN电流通路，提高了寄生PNP管开启所需的电流。在N型阱区中加入了N型中等掺杂区，降低寄生PNP的发射结注入效率，抑制寄生PNP和寄生NPN之间的正反馈，从而提高SCR的维持电流。高维持电流使该新型SCR器件可以在高压集成电路中提供较强的防护能力。

本发明授权一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件在权利要求书中公布了：1.一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件结构，其特征在于： 第一种导电类型为P型，第二种导电类型为N型； 所述器件包括一个第一种导电类型硅衬底，所述第一种导电类型硅衬底上形成的相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区；所述第二种导电类型阱区内设有一个第一种导电类型重掺杂区，第一个第二种导电类型重掺杂区，第二个第二种导电类型重掺杂区和一个第二种导电类型中等掺杂区，所述的第二个第二种导电类型重掺杂区、第一个第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区依次远离所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区形成PN结的结面，且通过浅槽隔离区隔离，所述的第二种导电类型中等掺杂区位于所述第一种导电类型重掺杂区和所述第一种导电类型重掺杂区与第一个第二种导电类型重掺杂区之间浅槽隔离区的正下方；所述第一种导电类型阱区内设有一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区； 所述第二种导电类型阱区内的第一种导电类型重掺杂区和第一个第二种导电类型重掺杂区同阳极相连；所述第一种导电类型阱区内第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区同阴极相连。

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