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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利车载雷达、通信基站、高功率射频器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211146000.3，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权车载雷达、通信基站、高功率射频器件及其制作方法是由李海滨;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本车载雷达、通信基站、高功率射频器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种车载雷达、通信基站、高功率射频器件及其制作方法，高功率射频器件包括：高功率射频半导体结构、金属互连层、第二介电层、接地焊盘、输入焊盘以及输出焊盘；高功率射频半导体结构包括：衬底的第一区域以及位于第一区域上的第一电极、第二电极与第三电极；金属互连层包括第一介电层、接地电极、输入电极以及输出电极，接地电极电连接第二电极，输入电极电连接第一电极，输出电极电连接第三电极；第二介电层覆盖金属互连层，第二介电层的介电常数小于第一介电层的介电常数，导热系数大于衬底的导热系数；接地焊盘位于第二介电层上；输入焊盘以及输出焊盘位于衬底的背面上。在保证器件高频性能的同时，可获得更低的器件热阻。

本发明授权车载雷达、通信基站、高功率射频器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率射频器件，其特征在于，包括： 高功率射频半导体结构，包括：衬底的第一区域以及位于所述第一区域上的第一电极、第二电极与第三电极，所述第二电极与所述第三电极位于所述第一电极的两侧；所述高功率射频半导体结构为LDMOS结构或HEMT结构，所述第一电极为栅极，所述第二电极为源极，所述第三电极为漏极；或所述高功率射频半导体结构为HBT结构，所述第一电极为基极，所述第二电极为集电极，所述第三电极为发射极； 金属互连层，位于所述高功率射频半导体结构与所述衬底的第二区域上；所述金属互连层包括第一介电层、接地电极、输入电极以及输出电极；所述接地电极电连接所述第二电极，所述输入电极电连接所述第一电极，所述输出电极电连接所述第三电极； 第二介电层，覆盖所述金属互连层；所述第二介电层的介电常数小于所述第一介电层的介电常数，所述第二介电层的导热系数大于所述衬底的导热系数；所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极均位于所述第二介电层与所述衬底之间；所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极在所述衬底上的正投影分别与所述第二介电层在所述衬底上的正投影存在交叠；以及 接地焊盘，位于所述第二介电层远离所述衬底的一侧上，且电连接所述接地电极；输入焊盘以及输出焊盘，位于所述衬底远离所述金属互连层的一侧上，所述输入焊盘电连接所述输入电极，所述输出焊盘电连接所述输出电极。

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