复旦大学陈琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种改善铪基铁电器件耐受性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211112661.4，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种改善铪基铁电器件耐受性的方法是由陈琳;李振海;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善铪基铁电器件耐受性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种改善铪基铁电器件耐受性的方法。包括以下步骤：在Si衬底上形成第一HZO层，之后形成第一TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，随后，刻蚀去除所述第一TiN层；形成ZrO2层和第二HZO层，之后形成第二TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，通过调控ZrO2层的厚度使其具有适当的反铁电特性，从而削弱铁电器件在极化反转过程中的极化电流的强度，改善铪基铁电器件耐受性；光刻刻蚀所述第二TiN层，形成删极；进行离子注入掺杂，在栅极两侧的硅衬底中形成源区和漏区，并高温退火以激活杂质。
本发明授权一种改善铪基铁电器件耐受性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善铪基铁电器件耐受性的方法，其特征在于， 包括以下步骤： 在Si衬底上形成第一HZO层，之后形成第一TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，随后，刻蚀去除所述第一TiN层； 形成ZrO2层和第二HZO层，之后形成第二TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，通过调控ZrO2层的厚度使其具有适当的反铁电特性，从而削弱铁电器件在极化反转过程中的极化电流的强度，改善铪基铁电器件耐受性； 光刻、刻蚀所述第二TiN层，形成栅极； 进行离子注入掺杂，在栅极两侧的硅衬底中形成源区和漏区，并高温退火以激活杂质。
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