山东东仪光电仪器有限公司;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司刘曼文获国家专利权
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龙图腾网获悉山东东仪光电仪器有限公司;烟台东仪光电产业技术研究院有限公司申请的专利低电容硅像素探测器阵列芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211052979.8，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权低电容硅像素探测器阵列芯片及其制作方法是由刘曼文;赵珍阳;蔡新毅设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本低电容硅像素探测器阵列芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了低电容硅像素探测器阵列芯片及其制作方法，属于硅探测器技术领域，要解决的技术问题为如何提升软X射线或者高能带电粒子探测器阵列芯片的能量与位置分辨率。由像素单元阵列组成，每个像素单元包括：基体，为硅晶圆基体，基体的一面作为读取面，与读取面相对的一面作为接收面；氧化层，形成于所述基体的读取面上，并刻蚀有凹槽区域，所述凹槽区域包括一个圆形凹槽区域；阴极电极，位于所述凹槽区域内并嵌入于所述基体的读取面，用于作为收集电极；保护电极，呈圆环状，嵌入于所述基体的读取面内、并环绕于所述阴极电极的外周，用于间隔相邻像素单元之间的阴极电极；阳极电极，嵌入于所述基体的入射面，并覆盖所述基体整面的入射面。
本发明授权低电容硅像素探测器阵列芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低电容硅像素探测器阵列芯片，其特征在于，由像素单元阵列组成，每个像素单元包括： 基体，所述基体为硅晶圆基体，所述基体的一面作为读取面，与读取面相对的一面作为接收面； 氧化层，所述氧化层形成于所述基体的读取面上，并刻蚀有凹槽区域，所述凹槽区域包括一个圆形凹槽区域和多个三角形凹槽区域，所述多个三角形凹槽区域呈圆周间隔排布、并环绕于所述圆形凹槽区域的外周，所述三角形凹槽区域为等腰三角形凹槽区域，所述三角形凹槽区域的底边靠近所述圆形凹槽区域； 阴极电极，所述阴极电极位于所述凹槽区域内并嵌入于所述基体的读取面，用于作为收集电极； 保护电极，所述保护电极呈圆环状，嵌入于所述基体的读取面内、并环绕于所述阴极电极的外周，用于间隔相邻像素单元之间的阴极电极； 阳极电极，所述阳极电极嵌入于所述基体的入射面，并覆盖所述基体整面的入射面。
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