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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种金属-介质混合材料FP腔滤波阵列及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115343792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211014190.3，技术领域涉及：G02B5/20；该发明授权一种金属-介质混合材料FP腔滤波阵列及制备方法是由程鑫彬;朱静远;董思禹;周健宇;王占山设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属-介质混合材料FP腔滤波阵列及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金属‑介质混合材料FP腔滤波阵列结构及制备方法，所述阵列结构自下而上包括SiO2衬底、底部高反膜、间隔层和顶部高反膜；其中，高反膜为AgSiO2TiO2膜系的金属‑介质混合材料多层膜；所述间隔层为采用电子束直写灰度光刻技术制备的不同高度的光刻胶间隔层，用以对应不同波长的光谱。与现有技术相比，本发明采用电子束直写灰度光刻技术制备不同高度的光刻胶间隔层，直写效率高，且采用金属‑介质混合材料多层膜替代传统金属反射层，极大提升FP腔滤波阵列光谱性能。

本发明授权一种金属-介质混合材料FP腔滤波阵列及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于金属-介质混合材料FP腔滤波阵列结构的制备方法，其特征在于，所述阵列结构自下而上包括SiO2衬底1、底部高反膜2、间隔层3和顶部高反膜4； 其中，高反膜为AgSiO2TiO2膜系的金属-介质混合材料多层膜；所述间隔层3为采用电子束直写灰度光刻技术制备的不同厚度的光刻胶间隔层，用以对应不同波长的光谱； 所述方法包括以下步骤： 步骤S1、在SiO2衬底上采用离子束溅射沉积技术制备AgSiO2TiO2膜系的金属-介质混合材料多层膜，得到底部高反膜，具体为：在SiO2衬底上采用热蒸发制备底部Ag膜，然后用电子束蒸发沉积SiO2，最后用原子层沉积制备TiO2膜； 步骤S2、通过匀胶机在步骤S1所得的底部高反膜表面旋涂一层设定厚度的光刻胶，然后再旋涂一层设定厚度的导电胶；其中，导电胶的旋涂参数设置：转速为4000～5000rmin，厚度为30～50nm；烘烤使用热板，温度为87～93℃，时间为1.8～2.2分钟； 步骤S3、采用电子束直写灰度光刻技术对步骤S2中的光刻胶进行曝光，显影后得到不同高度的光刻胶间隔层；其中，曝光区域与传感器像素形状一一对应； 步骤S4、在步骤S3制备好的不同高度的光刻胶间隔层上，按照步骤S1的方法采用离子束溅射沉积技术制备顶部高反膜，得到金属-介质混合材料FP腔滤波阵列结构。

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