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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211013915.7，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权阵列基板及显示面板是由曹武;请求不公布姓名;韩佰祥设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括衬底基板、金属转接层、像素定义层以及阴极层，衬底基板具有显示区以及围绕显示区的非显示区；金属转接层设于衬底基板上且位于非显示区；像素定义层设于金属转接层远离衬底基板的一侧，像素定义层包括多个间隔设置的堤坝，金属转接层位于相邻的两个堤坝之间，其中，位于非显示区中两个相邻的堤坝之间的间距大于位于显示区中两个相邻的堤坝之间的间距；阴极层覆盖金属转接层以及像素定义层。该阵列基板能够降低金属转接层与阴极层之间的搭接阻抗，提高阵列基板的耐流性。

本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板，所述衬底基板具有显示区以及围绕所述显示区的非显示区； 金属转接层，所述金属转接层设于所述衬底基板上且位于所述非显示区； 像素定义层，所述像素定义层设于所述金属转接层远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括多个间隔设置的堤坝，所述金属转接层位于相邻的两个所述堤坝之间，其中，位于所述非显示区中的两个相邻的所述堤坝之间的间距大于位于所述显示区中的两个相邻的所述堤坝之间的间距； 阴极层，所述阴极层覆盖所述金属转接层以及所述像素定义层； 所述阵列基板还包括电源走线层以及钝化层，所述电源走线层设于所述衬底基板上且位于所述非显示区；所述钝化层设于所述电源走线层远离所述衬底基板的一侧且位于所述非显示区，所述钝化层上设有第一过孔，所述金属转接层覆盖所述第一过孔； 在所述非显示区，所述阵列基板还包括数据走线层、缓冲层以及层间介质层，所述数据走线层设于所述衬底基板上且位于相邻的两个所述堤坝之间，所述缓冲层设于所述数据走线层远离所述衬底基板的一侧，所述层间介质层设于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧，所述电源走线层设于所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧； 所述电源走线层上还设有多个间隔排布的第二过孔，所述数据走线层包括多条沿第一方向间隔排布的数据信号线，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述数据信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

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