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龙图腾网获悉福建中晶科技有限公司申请的专利一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210989870.0，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法是由侯想;刘熠新;钟梦洁;蔡琦;熊彩浩;卢文瑞设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法。其主要针对目前主流工艺是在蓝宝石上生长氮化镓薄膜，但是由于蓝宝石与氮化镓存在着较大的晶格失配，导致在蓝宝石上生长出的氮化镓外延层质量较差，严重影响半导体器件的性能的问题；提出如下技术方案：通过减薄光刻胶、在光刻胶和二氧化硅蓝宝石复合衬底上制作一层氮化铝薄膜，再去掉光刻胶，此时氮化铝薄膜一部分覆盖在二氧化硅蓝宝石复合衬底的二氧化硅上，原先覆盖在光刻胶上的氮化铝薄膜悬空。随后在氮化铝薄膜上生长氮化镓外延层，再使用BOE将衬底上部的二氧化硅层去除，最终将外延层与衬底剥离。本发明通过使用在二氧化硅蓝宝石复合衬底上上生长氮化铝层，再将二氧化硅去除的剥离方法，大大降低了剥离成本，降低了氮化镓衬底的价格，扩展了氮化镓外延层的应用领域，具有非常好的可行性和应用价值。

本发明授权一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法，其特征在于：所述衬底剥离方法主要涉及以下层数组成：光刻胶（1）、氧化铝（2）、二氧化硅（3）、氮化铝（4）、氮化镓外延层（5）和缓冲氧化物刻蚀液（6），具体剥离方法包括以下步骤： S1、制作出CPSS，其上部为二氧化硅（3）下部为氧化铝（2）； S2、在S1制备的CPSS上旋涂一层光刻胶（1），确保光刻胶（1）将CPSS上的图形全部覆盖； S3、使用氧气对涂布光刻胶（1）的CPSS进行干法刻蚀，直至光刻胶（1）胶厚剩下0.3-1.5μm，且图形侧壁上半部分并无光刻胶残留，为了确保顺利完成剥离，所述光刻胶（1）剩余的高度要高于氧化铝（2）的高度； S4、使用磁控溅射设备在涂有光刻胶（1）的CPSS上生长一层氮化铝（4）薄膜，使薄膜覆盖整个CPSS图形及光刻胶； S5、将覆盖了氮化铝（4）薄膜和光刻胶（1）的衬底片，放入溶解液体中浸泡1-100min，将氮化铝（4）下面的光刻胶（1）溶解掉； S6、经由S5处理后，获得剩下带有氮化铝（4）薄膜的CPSS； S7、使用MOCVD在带有氮化铝（4）薄膜的CPSS上生长氮化镓外延层（5），工艺与常规工艺一致； S8、将生长完氮化镓外延层（5）的CPSS放入缓冲氧化物刻蚀液（6）中浸泡1-100min，将CPSS上部分的二氧化硅（3）溶解掉，由于二氧化硅（3）被溶解，氮化铝（4）和氮化镓外延层（5）被剥离开来。

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