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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210994780.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件是由尉国栋;吴显通;李兰;苏莹;丁利苹;翟配郴;袁帅;董李艳设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件，将4H‑SiC晶片进行p型掺杂，并干法氧化，得到覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片；将聚苯乙烯微球溶液旋涂在覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片上，加热使聚苯乙烯微球缩小并自组装形成单层膜，蒸镀沉积金，去除聚苯乙烯微球，得到具有金纳米图案的4H‑SiC晶片；将其与铜板接触作为阳极，在三电极系统中外加脉冲电流对具有金纳米图案的4H‑SiC晶片进行刻蚀处理，在晶片上形成图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜，剥离图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜。本发明制备出有序的、图案化的纳米线阵列薄膜，缺陷少，经图案化后具有较高的分辨率。

本发明授权一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件在权利要求书中公布了：1.一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 步骤1，将4H-SiC晶片与p型掺杂源混合均匀，在密封空间内进行热处理，得到掺杂后的4H-SiC晶片；其中，热处理是以3-10℃min的升温速率升温至1000-1200℃，保温60-600min； 步骤2，将掺杂后的4H-SiC晶片进行干法氧化，得到覆盖有氧化层的4H-SiC晶片；其中，干法氧化是在空气气氛中、1000-1100℃下保温15-40min； 步骤3，将聚苯乙烯微球溶液旋涂在覆盖有氧化层的4H-SiC晶片上，加热使聚苯乙烯微球缩小并自组装形成单层膜，然后蒸镀沉积金，采用无水乙醇去除聚苯乙烯微球，得到具有金纳米图案的4H-SiC晶片； 步骤4，将具有金纳米图案的4H-SiC晶片与铜板接触作为阳极，氢氟酸、乙醇和双氧水组成的刻蚀液作为电解液，在三电极系统中外加脉冲电流对具有金纳米图案的4H-SiC晶片进行刻蚀处理，在具有金纳米图案的4H-SiC晶片上形成图案化4H-SiC纳米线阵列薄膜，然后剥离得到图案化4H-SiC纳米线阵列薄膜；其中，剥离具体是：先采用直流电流将4H-SiC晶片从铜板上剥离下来，干燥，再使用双面胶将图案化4H-SiC纳米线阵列薄膜从4H-SiC晶片上剥离下来。

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