吉林华微电子股份有限公司孙建国获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210942180.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备是由孙建国;迟永欣;耿智蔷;白金设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，通过在完成肖特基接触孔刻蚀之后，形成覆盖栅氧化层和沟槽多晶硅的本征多晶硅层，在后续形成肖特基势垒金属层之后，所述肖特基势垒金属层可以与覆盖于所述栅氧化层上的所述本征多晶硅层反应，从而在所述栅氧化层上也生成势垒金属硅化物层，如此，在后续形成接触金属层后，所述接触金属层不会与所述外延层接触，从而可以在很精准的控制接触孔刻蚀的深度和刻蚀速率的片内均匀性以及势垒厚度的情况下，减少沟槽肖特基二极管中接触金属层与外延层直接接触的风险。
本发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一外延层，所述外延层包括相对的第一表面和第二表面； 在所述外延层的第一表面形成沟槽； 在所述沟槽内形成栅氧化层； 在所述沟槽内填充沟槽多晶硅； 形成暴露出所述外延层的第一表面的肖特基接触孔； 在所述外延层的第一表面设置本征多晶硅层，使所述本征多晶硅层覆盖暴露出的所述外延层、所述沟槽多晶硅及所述栅氧化层； 在所述本征多晶硅层上形成肖特基势垒金属层； 对所述肖特基势垒金属层进行势垒金属合金反应，使所述肖特基势垒金属层与所述本征多晶硅层发生合金反应形成势垒金属硅化物层； 在所述势垒金属硅化物层远离所述外延层的一侧形成接触金属层； 在所述外延层的第二表面形成背面金属层。
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