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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115240941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210929600.0，技术领域涉及：H01F1/055；该发明授权一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用是由马垒;李志坤;饶光辉;何木芬;袁昌来;王治群;李林;赵景泰设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料，由两种稀土元素Pr和Gd，以及Co元素组成，先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物，再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料；原子配比满足1:3，化学式为Pr1‑ xGdxCo3，x的取值范围为0.2≤x≤0.8；居里温度的范围为‑400K‑550K之间；相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括：1，铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备；2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用，在室温条件下，当外磁场为2T时，矫顽力为1.37‑12.88kOe；交换偏置场为0.2‑5.38kOe；在10K条件下，当外磁场为5T时，矫顽力为16.47‑36.23kOe；交换偏置场为2.73‑14.92kOe。本发明的优点为，具有矫顽力大，零场冷条件下交换偏置场强，温度稳定性好，工艺简单的特点。

本发明授权一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种零场冷室温交换偏置永磁材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤： 步骤1，铸态Pr-Gd-Co化合物的制备，首先，以满足一定Pr-Gd-Co化学式称量金属单质Pr、金属单质Gd和金属单质Co，然后，在一定条件下，将Pr、Gd和Co进行熔炼，即可得到成分均匀的铸态Pr-Gd-Co化合物； 所述步骤1的Pr-Gd-Co化学式满足以下要求Pr1-xGdxCo3，其中，x的取值范围为0.2≤x≤0.8； 所述步骤1熔炼的条件为，将金属单质置于铜坩埚内，在氩气条件下，以熔炼电流为80-120A，熔炼方法为反复正反熔炼4-6次的条件进行熔炼； 步骤2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备，将步骤1所得铸态Pr-Gd-Co化合物在一定条件进行甩带处理，即可得到Pr-Gd-Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料； 所述步骤2甩带处理的条件为，腔体压力为0.04-0.06MPa的氩气条件下感应熔炼成液态，再以辊轴速度为10-40ms的条件进行甩带处理。

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